问题

可能原因

建议的解决方案

参考*

硅损伤

过多的玻璃转移

使用正确的源片沉积温度

(7)

剩余光致抗蚀剂

剥离抵制后立即使用“RCA清洁剂”

(8)

管中有水分

• 避免回流
• 在稀HF中清洗船
• 使用改进的存储技术

环境气体
贮存
(2)

沉积之后水分被沉积玻璃吸收

• 利用大量冷却保持硅冷却
• 立即使用稀HF酸蚀沉积玻璃
• 立即用离子化水（DI）冲洗硅并干燥

(9)

气体中氧气不足

• 当沉积温度高于1000°C时使用1/4-3%
• 当沉积温度较低时，使用微量的氧气量（即1000ppm以下）
• 用氩气替代氮气

环境气体

硅晶片有热梯度

• 减少推/拉时温度和速率
• 减少斜率
• 大量冷却

工艺参数

消除硼硅阶段（染色）失败

驱动前使用低温操作和酸蚀

环境气体

驱动后的场氧化损伤

沉积之后水分被沉积玻璃吸收

• 利用大量冷却保持硅冷却
• 立即使用稀HF酸蚀沉积玻璃

• 立即用离子化水（DI）冲洗硅并干燥

(9)

硅翘曲

硅晶片上热梯度高

• 减少推/拉时温度和速率
• 减少斜率
• 大量冷却

工艺参数

染色

硅表面硅硼阶段过度

• 提高载气中氧气含量
• 使用高温源片
• 使用低温操作

环境气体
(7)

少子寿命低

从船，管，源片等带来的杂质

• 使用吸除（TCA，磷沉积，背部表面损伤等）
• 通过降低载气中氧气诱导轻微的表面损伤
• 成熟源片

环境气体
(10),(11)

过程诱导硅片缺陷

慢慢退火掺硅片

(12)

增加测试或可变测试

磷源片吸收水分

• 将源片插入扩散管干燥
• 存储在干燥环境

(13)

多晶硅表面粗糙

磷的过分掺杂

减少磷在硅上的沉积量